Samsung Electronics präsentiert industrieweit erstes Memory mit 128Gigabyte
Seoul, Korea – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im Bereich innovative Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des industrieweit ersten 128gigabyte (GB) Ultra-Fast Embedded Memory auf Basis des mit Spannung erwarteten Universal Flash Storage (UFS) 2.0 Standards für Smartphones der nächsten Generation begonnen. Die UFS 2.0-Schnittstelle des neuen Embedded Memory ist die weltweit fortschrittlichste JEDEC-konforme Spezifikation für Flash-Speicher der nächsten Generation.
„Durch die Massenproduktion von ultra-schnellem UFS-Memory mit der branchenweit höchsten Speicherkapazität leisten wir einen beachtlichen Beitrag, um Kunden ein noch fortschrittlicheres Mobilgeräte-Erlebnis zu ermöglichen,“ sagt Jee-ho Baek, Senior Vice President of Memory Marketing, Samsung Electronics. „In Zukunft werden wir den Anteil an High-Capacity Memory-Lösungen erhöhen, indem wir das kontinuierliche Wachstum des Marktes für Premium Memory anführen.“
UFS Memory nutzt mit „Command Queue“ eine Technologie, die in SSDs über eine serielle Schnittstelle die Geschwindigkeit der Befehlsausführung beschleunigt. Dies erhöht die Datenverarbeitungsgeschwindigkeiten gegenüber dem parallelen eMMC-Standard mit 8bit erheblich. Als Resultat ermöglicht das UFS Memory von Samsung 19.000 IOPS (Input/Output Operationen pro Sekunde). Dies ist 2,7 Mal schneller als das heute gebräuchlichste Embedded Memory für High-End Smartphones – das eMMC 5.0. Außerdem liefert das UFS Memory eine sequenzielle Lese- und /Schreib-Leistungssteigerung bis auf SSD Level und benötigt 50 Prozent weniger Energie. Darüber hinaus ist die Geschwindigkeit für wahlfreie Lesevorgänge 12 Mal höher als die einer typischen High-Speed Memory-Karte (die mit 1.500 IOPS läuft). Somit wird eine deutlich höhere System-Leistungsfähigkeit erwartet.
Für die Zukunft erwartet Samsung, dass UFS den Bedürfnissen des Marktes für High-End Mobilgeräte gerecht wird, während eMMC-Lösungen für die Value-Segmente mittlerer Märkte weiterhin ihre Existenzberechtigung haben werden.
Beim wahlfreien Schreiben von Daten in den Speicher arbeitet das beeindruckend schnelle UFS Embedded Memory mit 14.000 IOPS. Es ist damit 28 Mal schneller als herkömmliche externe Speicherkarten. Memory ermöglicht somit das reibungslose Abspielen von Ultra HD Videos bei der gleichzeitigen Ausführung von Multitasking-Funktionen. Dies sorgt bei Anwendern für eine wesentlich bessere Mobilgeräte-Erfahrung.
Samsungs neues UFS Embedded Memory gibt es in Versionen mit 128GB, 64GB und 32GB. Dies sind die doppelten Kapazitäten wie das eMMC-Angebot des Unternehmens. UFS Embedded Memory ist heute damit die optimale Storage-Lösung für High-End Mobilgeräte.
Um weltweiten Kunden eine höhere Entwicklungsflexibilität zu bieten, lässt sich das UFS Embedded Memory Package von Samsung, eine neue ePoP-Lösung (Embedded Package on Package), direkt auf die Oberseite eines Logik-Chips stapeln. Dies beansprucht etwa 50 Prozent weniger Platz.
In den nächsten Jahren wird Samsung weiterhin als Schrittmacher für Memory-Lösungen fungieren, die hohe Leistungsfähigkeit und hohe Speicherkapazität in sich vereinen.
Quelle: ots
