Seoul, Korea – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im Bereich Memory-Technologie, hat mit der Massenproduktion des fortschrittlichsten DDR3 Memory in einer neuen 20 Nanometer (nm) Prozesstechnologie begonnen. Das neue Memory wurde für den Einsatz in zahlreichen Computing-Anwendungen entwickelt.
Samsung hat die Skalierung bei DRAMs extrem ausgereizt und zugleich aktuell verfügbare Immersion ArF Lithografie genutzt, um sein industrieweit am weitesten entwickeltes 20 Nanometer DDR3 DRAM mit 4 Gigabit (Gb) zu realisieren.
Bei DRAM Memory, bei dem jede Zelle aus einem Kondensator und einem mit diesem verbundenen Transistor besteht, ist die Skalierung schwieriger als bei NAND Flash Memory, bei dem eine Zelle nur einen Transistor benötigt. Um die Skalierung bei fortschrittlicheren DRAMs weiter zu führen, hat Samsung seine Design- und Fertigungstechnologien überarbeitet und ein modifiziertes Verfahren hervorgebracht, welches aus Doppelstrukturierung (Double Patterning) und Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition oder ALD) besteht.
Samsungs modifizierte Technologie der Doppelstrukturierung setzt einen neuen Meilenstein, indem sie der 20nm DDR3 Produktion mit herkömmlichen Fotolitografiegeräten ermöglicht, die Core-Technologie für die nächste Generation der 10nm-Class DRAM Produktion zu realisieren. Samsung hat außerdem ultradünne dielektrische Schichten (Layer) mit Zellenkondensatoren und einzigartiger Regelmäßigkeit realisiert und so eine höhere Leistungsfähigkeit der Zellen erzielt.
Bei dem neuen, diese Technologien nutzenden 20nm DDR3 DRAM hat Samsung auch die Produktivität in der Fertigung gesteigert. Diese ist über 30 Prozent höher als die beim bisherigen 25 Nanometer DDR3 und über doppelt so hoch wie bei 30nm-Class* DDR3.
Darüber hinaus lassen sich mit den neuen 20nm 4Gb DDR3 Modulen bis zu 25 Prozent Energie gegenüber der 25nm-Technologie einsparen. Diese Verbesserung bildet die Grundlage, um globale Unternehmen mit den industrieweit fortschrittlichsten ‚Green IT‘-Lösungen zu beliefern.
„Unser neues energieeffizientes 20 Nanometer DDR3 DRAM wird seinen Marktanteil in der gesamten IT-Branche, inklusive PC- und Mobilgeräte-Märkte, sehr rasch ausdehnen und schnell den Mainstream-Status erlangen“, sagt Young-Hyun Jun, Executive Vice President, Memory Sales and Marketing, Samsung Electronics. „Wir werden auch künftig DRAM- und ‚Green‘ Memory-Lösungen der nächsten Generation vor dem Wettbewerb liefern. Gleichzeitig werden wir in enger Zusammenarbeit mit unseren Hauptkunden zum Wachstum des globalen IT-Marktes beitragen.“
Das Marktforschungsunternehmen Gartner geht davon aus, dass der weltweite DRAM-Markt von $35,6 Mrd. im Jahr 2013 bis 2014 auf $37,9 Mrd. wächst.
Quelle: ots
