Seoul, Korea – Samsung Electronics Co. Ltd, ein weltweit führender Anbieter von innovativen Speicherlösungen, hat mit der Massenproduktion der ersten hochleistungsfähigen 3bit-NAND-basierten SSDs für Server und Rechenzentren begonnen. Die neue SSD wird es Rechenzentren ermöglichen, den Workload in Bezug auf Soziale Netzwerke, Web Browsing und Email zu verbessern, und die Arbeitseffizienz ihrer Nutzer zu steigern. Erste Installationen der 3bit-MLC (Multi-Level-Cell) NAND-SSDs, zunächst in großen Rechenzentren, sind später in diesem Quartal zu erwarten.
„Im Anschluss an die Markteinführung von 3bit NAND-basierten SSDs für den PC-Markt im vergangenen Jahr wird unser neues 3bit-SSD für Rechenzentren wesentlich helfen, die Marktbasis für SSDs zu erweitern,“ sagt Young-Hyun Jun, Executive Vice President, Memory Sales and Marketing, Samsung Electronics. „Wir gehen davon aus, dass das SSD-Marktwachstum eine neue Dynamik erhält, da die neuen SSDs wesentliche Verbesserungen bezüglich der Investitionseffizienz in Rechenzentren bietet. Dies wird zu einem späteren Zeitpunkt des Jahres zur vollwertigen Kommerzialisierung von SSDs in IT-Systemen führen.“
Die neuen SSDs mit der Bezeichnung PM853T sind mit Kapazitäten von 240GB, 480GB und 960GB verfügbar. Sie eignen sich für den Einsatz in großen Rechenzentren, die Online-Dienstleistungen wie Social Media, Internet Browsing und Email erbringen. Die 3bit-SSDs bieten eine hohe Random IOPS-Leistungsfähigkeit (Inputs/Output pro Sekunde) und „Quality of Service“ (QoS). Beides ist wichtig für Server-Anwendungen in Rechenzentren und Clouds. Angesichts dieser Vorteile erwartet Samsung, dass sich die Einbindung von 3bit-SSDs in Rechenzentren den Austausch von 2bit-SSD-Produkten stark vorantreiben wird.
Durch die Verbreiterung der Marktbasis für SSDs werden die neuen SSD-Modelle PM853T IT-Verantwortlichen erlauben, ihre SSD-Upgrades zu Investitionen ähnlich denen bei Consumer-SSDs zu optimieren. Beim PM853T wurde eine Steigerung der Fertigungseffizienz von 30 Prozent gegenüber SSDs mit 2bit NAND-Flash-Komponenten erreicht.
Hergestellt mit Samsungs 10 nanometer (nm)-Class* 3bit NAND-Flash-Komponenten und basierend auf modernster Controller-Technologie bietet das neue Halbleiterlaufwerk eine sequenzielle Lesegeschwindigkeit von 530 Megabyte pro Sekunde (MB/s) sowie eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von 420MB/s. Außerdem liest das SSD Daten wahlfrei mit 90.000 IOPS. Es ermöglicht wahlfreie Schreibvorgänge von 14.000 IOPS im Dauerbetrieb.
Seit der Produktion des 3bit NAND-basierten 840 EVO SSD im Jahr 2012 hat Samsung die Führungsposition als Anbieter von SSDs für ultradünne Notebooks und PCs übernommen. Mit dem PM853T hat sich das Unternehmen bis jetzt eine starke Position bei hocheffizienten SSDs für große Rechenzentren gesichert.
Durch diese Markteinführung eines SATA 6Gb/s 3bit SSD verstärkt Samsung seine Zusammenarbeit mit globalen Rechenzentrums- und Server-Kunden, während das Unternehmen weiterhin über das größte Angebot wettbewerbsfähiger SSDs (SATA-, SAS- und PCIe/NVMe-Schnittstellen) verfügt, um die Führungsposition auf dem Premium SSD-Markt zu verbessern.
Laut eines Marktforschungsreports von IHS iSuppli soll der weltweite SSD-Markt um etwa 30 Prozent wachsen. Von 9,4 Mrd. US-Dollar in 2013 auf 12,4 Mrd. US-Dollar in 2014. Weiter heißt es in dem Bericht, dass auch in den kommenden Jahren der SSD-Markt hohe Wachstumsraten erreichen und im Jahr 2017 bei 20 Mrd. US-Dollar angelangt sein wird.
Quelle: ots
